近日，调研机构TrendForce集邦咨询报告显示，2024年第四季度全球电动汽车逆变器总装机量达到867万台，季度增长26%，中国与欧洲市场的强劲需求成为主要动能，带动纯电动车（BEV）、插电混合式电动车（PHEV）装机量同比较上季成长 28%，值得关注的是华为已经位列全球五大供货商之列。 这份报告还披露，2024年全球牵引逆变器市场装机量达2,721万台，SiC（碳化硅）逆变器受惠特斯拉及中国车厂采用，渗透率第四季达16%，成为年度最高。从逆变器供应端的分析看，比亚迪2024年第三季超越日厂Denso，第四季持续稳居全球市占率最高宝座。第四季最大亮点是华为受益新能源车问界系列热销，首度成为全球五大供货商。在全球前五的SiC逆变器供应商阵容中，中国企业在五大中占据三席，打破美欧日厂商主导的市场格局。
近年来主驱碳化硅功率芯片的电压等级不断提高，从最早的650V、750V已经发展到了1200V，并且被多家传统车企及新能源汽车企业采用。
本文重点梳理比亚迪、华为、方正微电子、长安汽车在SiC芯片领域的最新进展，为SiC产业链自主化贡献了哪些主流新产品。
主驱SiC迈入1500V时代，比亚迪实现全产业链自产自研
3月17日，比亚迪e平台技术发布会上，比亚迪董事长兼总裁王传福发布了“兆瓦闪充”技术，他表示：“这一创新技术可实现最高充电电压1000V，最大充电电流1000A，最高充电倍率10C，最大充电功率1MW，最高峰值充电速度可实现1秒2公里，5分钟充电400公里。”
为此，比亚迪升级了电机和电控系统，比亚迪推出全新的高转速电机，转速高达每分钟30511次转，全球首款量产的3万转电机。性能强大的电机，常规的功率芯片无法承载，比亚迪研发全新一代碳化硅功率模块来匹配它的超高功率。
比亚迪集团执行副总裁廉玉波宣布，比亚迪正式发布1500V车规级SiC功率芯片，这也是行业首次量产应用的、最高电压等级的车规级SiC功率芯片。首搭车型覆盖汉L EV、唐L EV、仰望U7、腾势N9。
比亚迪技术负责人表示，输出电压1000V电压平台，要求功率模块半桥耐压达到1500V，为了攻克这一难题，比亚迪又自主研发了1500V耐压的SiC功率模块，采用双面银烧结工艺和高耐温封装技术，功率模块可耐受200度高温。杂散电感降至5nH。与此功率回路，我们采用激光焊接技术，确保了电控系统的高功率输出。此外，我们基于整车大数据，开发了极致性能的控制策略，功率模块输出电流高达1000是高电压和高电流得到完美结合，使电机的性能得到充分释放。
廉玉波指出，千伏架构是对比亚迪电动汽车设计体系的权威升级，我们不仅仅突破了1000伏高压下电、磁、力、热多个离场耦合的难题，还突破了高电压下安全EMC等系统设计的难题，更是重构了从材料、部件、系统到整车全层级的千伏架构的设计体系，更难的是千伏高压架构的供应链。据悉，比亚迪公布的1500V碳化硅芯片在其宁波生产基地进行生产。
尊界新SiC车型即将上市，华为800V碳化硅高压平台赋能多个车型
2023年11月，华为发布了全新的震撼新品——全新一代DriveONE 800V高压碳化硅黄金动力平台，并宣布“上车”旗下首款智选车智界S7。华为首发的SiC电机每分转速可达22000转，华为自研的全新SIC模组大幅提升了MCU效率，最高效率达到了98%。
2024年6月11日，华为鸿蒙智行与奇瑞合作推出了智界R7、智界S7等汽车，它们均配备了800V碳化硅高压平台，其中有单电机版和双电机版，前者最大功率215千瓦，双电机版最大功率365千瓦，CLTC工况最大续航里程855Km。
2025年2月20日，在深圳举办的鸿蒙智行尊界技术发布会上，华为常务董事、终端BG董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东表示，尊界品牌的首款车型尊界S800将搭载六大智能化技术，预计将于5月底正式上市。据悉，尊界S800将搭载530KW的双电机和配备65KWh、6C增程电池，该车纯电续航可以达到200公里，配合1.5T增程发动机，综合续航能力达到860公里。
方正微电子推出1200V SiC器件，应用于主驱逆变器
去年10月，方正微电子在首届“湾芯展”上重磅发布了车规/工规级SiC MOS 1200V全系产品。其中TPAK FA120T008AA产品采用高耐温塑封器件，采用芯片烧结和Clip bond技术提升器件性能，可以烧结外形更适合电动车主驱，1200V8mΩ。 图：方正微电子SiC MOS功率模组 本站拍摄
方正微电子副总裁、产品总经理彭建华表示，方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用，特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。
方正微电子在国产供应链上具备两大优势：一、公司已经实现了车规级碳化硅芯片量产，在芯片的设计与制造上均实现了独立自主，并且和国产SiC衬底、SiC外延的知名厂商实现强强合作；二、产能规模上也持续上量。公司已经实现6英寸SiC 产能9000片/月，预计2024年底产能将达到1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力。
长安汽车车规级SiC芯片流片成功
3月4日，“重庆青山”官微消息，长安汽车与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。该项目在2023年4月启动，此次流片下线的SiC功率芯片在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上；阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。
青山公司是长安汽车的子公司，长安汽车是国内非常重视碳化硅产业链布局的企业之一。3月17日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地正式封顶，该项目由长安汽车旗下的深蓝汽车与斯达半导体联合打造，总投资4亿元，分两期建设。一期规划产能50万片/年，预计2025年6月实现小批量生产；二期扩容至180万片。
写在最后
TrendForce表示，短期牵引逆变器市场成长仍靠中国及欧洲带动，特别是纯电动汽车对牵引逆变器的需求较其他动力模式更高，突显中国市场表现更关键。中国车企比亚迪、长安汽车、赛力斯、理想、小米等纷纷推出SiC车型，10万级车型也用上了SiC，加速了国产车规级SiC芯片和主驱逆变器上车，中国芯片厂商已经在全球供应链上构建了自身不俗的实力和强大的生态圈，未来会在全球市场版图上拿下更多的份额。 声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表本站网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
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